Компания NXP выпустила два сверхминиатюрных и ультратонких диода в корпусе с габаритами 0.6х0.3х0.3 DSN0602 (0201 inch). Эти устройства с общими характеристиками 200 мА, 20 В в данный момент выпускаются двух типов: с пониженным обратным током (PMEG2002ESF) и пониженным прямым напряжением (PMEG2002AESF). Они идеально подходят для тонких мобильных устройств, таких как смартфоны и планшеты, где компактные размеры, малый вес и высокая эффективность пониженного потребления энергии является ключевыми фактороми.

В 2014 году планируется расширение этой серии за счет изделий с напряжениями 30 В и 40 В при токе 200мА, так же с напряжением 20В, 30В и 40В при токе 500мА.

Type	Vftyp [mV]	@ IF [mA]	IRtyp [µA]	@ VR [V]
PMEG2002AESF low VF optimized	375	200	10	20
PMEG2002ESF low IR optimized	435	200	0.88	20

Особенности:

- Ультра малый размер корпуса 0.6х0.3х0.3 мм

- Превосходное температурная характеристика (Ptot of 525 mW @ 1 cm² pad)

- Высокий пиковый ток (IFSM 4,5 А Макс и IFRM до 2 А макс.)

- Tj до 125 ° C

- Обратное напряжение VR ≤ 20 V

- Прямой ток IF (в среднем) ≤ 0,2A