Samsung Electronics начинает массовое производство памяти PRAM
Компания Samsung Electronics объявила на Шестом ежегодном форуме по мобильным решениям (Samsung Mobile Solutions Forum) о начале серийного производства нового типа энергонезависимой памяти PRAM (phase change random access memory).
Компания подготовила к массовому выпуску 512 Мбит приборы с высокой производительностью и малым потреблением, которые, по ее мнению, в ближайшем будущем смогут заменить другие типы памяти в мобильных устройствах. Память PRAM обеспечивает более простой доступ к данным по сравнению с DRAM, позволяет сэкономить до 20% энергии аккумулятора.
Новые 512 Мбит PRAM изготовлены по 60 нм технологии, позволяют стирать 64 Кслов (Kilowords, KWs) за 80 мс, что в 10 раз быстрее, чем у NOR флэш памяти. При размере сегмента в 5 Мбайт, PRAM может стирать и записывать данные приблизительно в 7 раз быстрее, чем NOR флэш.
Более масштабируемая, чем другие архитектуры памяти, которые в настоящее время находятся в разработке, PRAM сочетает высокую скорость RAM при реализации функций и энергонезависимое хранение данных, как флэш.
Источник: http://www.russianelectronics.ru/
|
